独自動車部品メーカーのボッシュ はさきごろ、第3世代のシリコンカーバイド（SiC）半導体を発表した。これらの高性能チップは車載パワーエレクトロニクス、特にインバーター内でエネルギーの流れを制御し、従来比で約20%高い性能を実現する。これにより、より大容量のバッテリーを使わずに航続距離を延ばし、バッ...